Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR818DP-T1-GE3
SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir818dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR818DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIR818DP-T1-GE3 за ціною від 36.88 грн до 101.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR818DP-T1-GE3 SIR818DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir818dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.89 грн
10+73.16 грн
100+56.92 грн
500+45.27 грн
1000+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3 SIR818DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir818dp.pdf MOSFET 30 Volts 50 Amps 69 Watts
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 578-587 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.03 грн
10+81.61 грн
100+55.70 грн
500+47.26 грн
1000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3 SIR818DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir818dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3 SIR818DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir818dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir818dp.pdf SIR818DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.