SIR818DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 37.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR818DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIR818DP-T1-GE3 за ціною від 36.34 грн до 140.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR818DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR818DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30 Volts 50 Amps 69 Watts |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|