Продукція > VISHAY > SIR826ADP-T1-GE3
SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY


VISH-S-A0001113297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.91 грн
500+90.97 грн
1000+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIR826ADP-T1-GE3 за ціною від 73.39 грн до 240.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir826adp.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir826adp.pdf Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.47 грн
10+151.49 грн
100+114.44 грн
500+88.68 грн
1000+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir826adp.pdf MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10768 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.63 грн
10+151.08 грн
100+99.81 грн
250+87.34 грн
500+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir826adp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.55 грн
10+150.68 грн
100+104.61 грн
500+79.71 грн
1000+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir826adp.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir826adp.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir826adp.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir826adp.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir826adp.pdf SIR826ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir826adp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.