SIR826BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 48.15 грн |
| 6000+ | 45.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR826BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 0.00435 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 80.8, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00435, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00435, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIR826BDP-T1-RE3 за ціною від 47.41 грн до 170.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR826BDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 19.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR826BDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 0.00435 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung: 83 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00435 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR826BDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 25022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR826BDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 0.00435 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 80.8 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 83 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00435 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00435 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR826BDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 80.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 40 V |
на замовлення 20655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIR826BDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 80.8A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 80.8A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 69nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SIR826BDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 80.8A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 80.8A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 69nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |