SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.55 грн |
| 10+ | 172.77 грн |
| 100+ | 120.69 грн |
| 500+ | 92.42 грн |
| 1000+ | 85.72 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V.
Інші пропозиції SIR826DP-T1-GE3 за ціною від 89.53 грн до 293.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR826DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET |
на замовлення 11506 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SIR826DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
MOSFETs 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
на замовлення 11506 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 293.17 грн |
| 10+ | 146.22 грн |
| 100+ | 115.11 грн |
| 500+ | 94.80 грн |
| 3000+ | 89.53 грн |