SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 66.6W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 66.6W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 90nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIR826DP-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SIR826DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET |
на замовлення 2799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
SIR826DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SIR826DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 66.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 66.6W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
SIR826DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 66.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 66.6W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |