SIR826DP-T1-GE3

SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sir826dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 66.6W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 66.6W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 90nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції SIR826DP-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR826DP-T1-GE3 SIR826DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors VISH_S_A0000184582_1-2566548.pdf MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR826DP-T1-GE3 SIR826DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir826dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIR826DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir826dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 66.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR826DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir826dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 66.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній