Продукція > VISHAY > SIR826LDP-T1-RE3
SIR826LDP-T1-RE3

SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY


3164661.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.87 грн
500+52.19 грн
1000+38.69 грн
5000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIR826LDP-T1-RE3 за ціною від 38.69 грн до 141.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir826ldp.pdf MOSFETs POWRPK N CHAN 80V
на замовлення 84459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.19 грн
10+104.06 грн
25+89.75 грн
100+67.83 грн
250+67.68 грн
500+55.76 грн
1000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir826ldp.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.95 грн
10+94.08 грн
100+72.79 грн
500+52.19 грн
1000+43.15 грн
5000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir826ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.78 грн
6000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir826ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 6083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.76 грн
10+87.29 грн
100+63.47 грн
500+47.48 грн
1000+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir826ldp.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 21.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir826ldp.pdf SIR826LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.