| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 27.29 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR836DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR836DP-T1-GE3 за ціною від 22.54 грн до 98.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR836DP-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR836DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 14397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR836DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 14397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR836DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR836DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 36581 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR836DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
SIR836DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIR836DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 27.42 грн |
| SIR836DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 14397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 533+ | 27.50 грн |
| 536+ | 27.33 грн |
| 540+ | 27.16 грн |
| 543+ | 26.02 грн |
| 547+ | 23.94 грн |
| 1000+ | 22.83 грн |
| 3000+ | 22.69 грн |
| 6000+ | 22.54 грн |
| SIR836DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 14397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 34.39 грн |
| 26+ | 30.85 грн |
| 100+ | 26.57 грн |
| 250+ | 24.49 грн |
| 500+ | 23.27 грн |
| 1000+ | 23.03 грн |
| 3000+ | 22.78 грн |
| 6000+ | 22.54 грн |
| SIR836DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 42.57 грн |
| SIR836DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 36581 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.31 грн |
| 10+ | 42.40 грн |
| 100+ | 28.44 грн |
| 500+ | 23.17 грн |
| 1000+ | 22.57 грн |
| SIR836DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIR836DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)