SIR836DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 34.59 грн |
| 500+ | 26.78 грн |
| 1000+ | 23.63 грн |
| 5000+ | 23.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR836DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIR836DP-T1-GE3 за ціною від 21.24 грн до 66.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR836DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 58917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR836DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR836DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR836DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; Idm: 50A; 10W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 21A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 10W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SIR836DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIR836DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR836DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; Idm: 50A; 10W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 21A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 10W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |