Продукція > VISHAY > SIR846ADP-T1-GE3
SIR846ADP-T1-GE3

SIR846ADP-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0003673008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.28 грн
500+84.94 грн
1000+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR846ADP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIR846ADP-T1-GE3 за ціною від 70.42 грн до 211.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir846adp.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11649 шт:
термін постачання 773-782 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.15 грн
10+159.50 грн
100+111.26 грн
500+96.02 грн
1000+75.83 грн
3000+73.16 грн
6000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003673008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+211.16 грн
10+155.59 грн
100+110.28 грн
500+84.94 грн
1000+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir846adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir846adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir846adp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.