SIR846ADP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 94.50 грн |
| 500+ | 73.23 грн |
| 1000+ | 66.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR846ADP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIR846ADP-T1-GE3 за ціною від 64.52 грн до 210.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR846ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 11649 шт: термін постачання 773-782 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR846ADP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR846ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SIR846ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIR846ADP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11649 шт:
термін постачання 773-782 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.82 грн |
| 10+ | 146.15 грн |
| 100+ | 101.95 грн |
| 500+ | 87.98 грн |
| 1000+ | 69.48 грн |
| 3000+ | 67.03 грн |
| 6000+ | 64.52 грн |
| SIR846ADP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 210.18 грн |
| 10+ | 136.86 грн |
| 100+ | 94.50 грн |
| 500+ | 73.23 грн |
| 1000+ | 66.27 грн |
| SIR846ADP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIR846ADP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)