SIR846DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 789-798 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 174.81 грн |
| 10+ | 154.7 грн |
| 100+ | 108.55 грн |
| 500+ | 89.24 грн |
| 1000+ | 83.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR846DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 104W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 72nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIR846DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR846DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SIR846DP-T1-GE3 |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SIR846DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
|
|
SIR846DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|
| SIR846DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |