SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 158.87 грн |
| 10+ | 75.88 грн |
| 100+ | 58.53 грн |
| 500+ | 46.42 грн |
| 1000+ | 42.73 грн |
| 3000+ | 41.00 грн |
| 6000+ | 40.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 50A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 25V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8, On-state resistance: 3.5mΩ, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 69W, Gate charge: 90nC.
Інші пропозиції SIR862DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR862DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SIR862DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIR862DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIR862DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)