SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 20893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.99 грн |
| 10+ | 93.76 грн |
| 100+ | 55.33 грн |
| 500+ | 43.56 грн |
| 1000+ | 40.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerPAK® SO8, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 90nC, On-state resistance: 3.5mΩ, Power dissipation: 69W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 70A.
Інші пропозиції SIR862DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|
| SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC On-state resistance: 3.5mΩ Power dissipation: 69W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A Pulsed drain current: 70A |
товару немає в наявності |