Технічний опис SIR862DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 69W, Gate charge: 90nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 50A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 25V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8, On-state resistance: 3.5mΩ.
Інші пропозиції SIR862DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR862DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SIR862DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 20602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIR862DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIR862DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)