SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.78 грн |
| 10+ | 86.79 грн |
| 100+ | 50.80 грн |
| 500+ | 40.32 грн |
| 1000+ | 37.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerPAK® SO8, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 90nC, On-state resistance: 3.5mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 50A, Power dissipation: 69W, Pulsed drain current: 70A.
Інші пропозиції SIR862DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|
| SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC On-state resistance: 3.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A Power dissipation: 69W Pulsed drain current: 70A |
товару немає в наявності |