SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.89 грн |
| 10+ | 79.65 грн |
| 100+ | 53.87 грн |
| 500+ | 45.68 грн |
| 1000+ | 37.23 грн |
| 3000+ | 36.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W, Power dissipation: 69W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 90nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 70A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 50A, On-state resistance: 3.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIR862DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|
| SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 90nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
|
|
SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|
| SIR862DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 90nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |