SIR870ADP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 98.80 грн |
| 500+ | 86.39 грн |
| 1000+ | 74.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR870ADP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIR870ADP-T1-RE3 за ціною від 68.51 грн до 226.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 9672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 300A Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 300A Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A |
товару немає в наявності |