SIR870ADP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 99.08 грн |
| 500+ | 86.50 грн |
| 1000+ | 74.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR870ADP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIR870ADP-T1-RE3 за ціною від 61.75 грн до 192.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V |
на замовлення 2568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 21048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 23.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIR870ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |