Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR870ADP-T1-RE3
SIR870ADP-T1-RE3

SIR870ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir870adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.62 грн
10+124.56 грн
100+86.67 грн
500+67.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR870ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm.

Інші пропозиції SIR870ADP-T1-RE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR870ADP-T1-RE3 SIR870ADP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024282187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3 SIR870ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix sir870adp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3 SIR870ADP-T1-RE3 VISHAY sir870adp.pdf Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3 VISH-S-A0024282187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR870ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3 sir870adp.pdf
SIR870ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3 sir870adp.pdf
SIR870ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.