Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR870DP-T1-GE3
SIR870DP-T1-GE3

SIR870DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir870dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+70.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR870DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIR870DP-T1-GE3 за ціною від 68.39 грн до 94.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir870dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+81.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir870dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.56 грн
10+83.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir870dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+87.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir870dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir870dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+91.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir870dp.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100-V(D-S)
на замовлення 5712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.24 грн
100+91.15 грн
1000+76.24 грн
3000+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir870dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3
Код товару: 197578
Додати до обраних Обраний товар

sir870dp.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir870dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.