SIR870DP-T1-GE3
Код товару: 197578
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SIR870DP-T1-GE3 за ціною від 62.86 грн до 96.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR870DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIR870DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V |
на замовлення 4132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIR870DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 100-V(D-S) |
на замовлення 5712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIR870DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIR870DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIR870DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIR870DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| SIR870DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |