Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR871DP-T1-GE3
SIR871DP-T1-GE3

SIR871DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir871dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3395 pF @ 50 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.38 грн
10+122.67 грн
100+84.48 грн
500+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR871DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3395 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIR871DP-T1-GE3 за ціною від 98.89 грн до 185.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR871DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir871dp-1766638.pdf MOSFET -100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 46725 шт:
термін постачання 832-841 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.83 грн
10+164.94 грн
100+115.50 грн
500+98.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR871DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir871dp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 48A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR871DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir871dp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3395 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.