SIR872ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 51.37 грн |
| 6000+ | 46.43 грн |
| 9000+ | 45.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR872ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції SIR872ADP-T1-GE3 за ціною від 52.46 грн до 177.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR872ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V |
на замовлення 42336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIR872ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIR6 |
на замовлення 2020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SIR872ADP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIR872ADP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 104W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIR872ADP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V
на замовлення 42336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.04 грн |
| 10+ | 109.77 грн |
| 100+ | 75.11 грн |
| 500+ | 56.57 грн |
| 1000+ | 52.46 грн |
| SIR872ADP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIR6
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIR6
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIR872ADP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIR872ADP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)