SIR872ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 53.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR872ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції SIR872ADP-T1-GE3 за ціною від 54.51 грн до 184.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR872ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 53.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR872ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 53.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR872ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 53.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR872ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 104W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR872ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR872ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V |
на замовлення 3733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR872ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 53.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIR872ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 53.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIR872ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIR872ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SIR872ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SIR622DP-T1-GE3 |
товару немає в наявності |