SIR872ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.02 грн |
| 10+ | 120.27 грн |
| 100+ | 94.34 грн |
| 500+ | 76.79 грн |
| 1000+ | 75.33 грн |
| 3000+ | 70.43 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR872ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53.7A; Idm: 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 53.7A, Power dissipation: 104W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 23mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 100A, Gate charge: 47nC.
Інші пропозиції SIR872ADP-T1-RE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIR872ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
SIR872ADP-T1-RE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53.7A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 53.7A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 100A Gate charge: 47nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIR872ADP-T1-RE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR872ADP-T1-RE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 53.7A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 47nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 53.7A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 47nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.