Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIR872DP-T1-GE3
SIR872DP-T1-GE3

SIR872DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sir872dp.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIR6
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.04 грн
10+185.24 грн
100+127.65 грн
250+117.77 грн
500+107.13 грн
1000+91.94 грн
3000+87.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR872DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SIR872DP-T1-GE3 за ціною від 87.11 грн до 256.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR872DP-T1-GE3 SIR872DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir872dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 75 V
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.44 грн
10+172.38 грн
100+122.82 грн
500+93.96 грн
1000+87.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872DP-T1-GE3 SIR872DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir872dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 53.7A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872DP-T1-GE3 SIR872DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir872dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 53.7A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir872dp.pdf SIR872DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872DP-T1-GE3 SIR872DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir872dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.