Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR873DP-T1-GE3
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir873dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+48.37 грн
6000+43.66 грн
9000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції SIR873DP-T1-GE3 за ціною від 49.17 грн до 168.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay sir873dp.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+62.65 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay sir873dp.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+116.48 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir873dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 82257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.93 грн
10+104.46 грн
100+71.21 грн
500+53.46 грн
1000+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 VISHAY 2632997.pdf Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 8524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir873dp.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 12497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+62.65 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+116.48 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 82257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.93 грн
10+104.46 грн
100+71.21 грн
500+53.46 грн
1000+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 2632997.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 8524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 12497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.