SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sir873dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.87 грн
6000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції SIR873DP-T1-GE3 за ціною від 44.75 грн до 155.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir873dp.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir873dp.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir873dp.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 12497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.01 грн
10+90.87 грн
100+64.51 грн
500+53.95 грн
1000+52.50 грн
3000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2632997.pdf Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.75 грн
25+121.89 грн
50+110.81 грн
100+91.02 грн
250+78.17 грн
500+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir873dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 12890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.34 грн
10+103.84 грн
100+77.83 грн
500+58.43 грн
1000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir873dp.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir873dp.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir873dp.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir873dp.pdf SIR873DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.