Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR873DP-T1-GE3
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir873dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+45.89 грн
6000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 37 A, 0.0475 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SIR873DP-T1-GE3 за ціною від 41.51 грн до 190.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir873dp.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 12497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.54 грн
10+84.30 грн
100+59.84 грн
500+50.04 грн
1000+48.70 грн
3000+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir873dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 12082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.22 грн
10+83.23 грн
100+67.55 грн
500+50.72 грн
1000+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 VISHAY 2632997.pdf Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.61 грн
25+117.59 грн
50+106.90 грн
100+87.81 грн
250+75.42 грн
500+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0003320277-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 37 A, 0.0475 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 10641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.77 грн
10+120.88 грн
100+86.34 грн
500+63.83 грн
1000+54.20 грн
5000+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 12497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+108.54 грн
10+84.30 грн
100+59.84 грн
500+50.04 грн
1000+48.70 грн
3000+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 75 V
на замовлення 12082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.22 грн
10+83.23 грн
100+67.55 грн
500+50.72 грн
1000+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 2632997.pdf
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+140.61 грн
25+117.59 грн
50+106.90 грн
100+87.81 грн
250+75.42 грн
500+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 VISH-S-A0003320277-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR873DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR873DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 37 A, 0.0475 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0475ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 10641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+190.77 грн
10+120.88 грн
100+86.34 грн
500+63.83 грн
1000+54.20 грн
5000+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.