Продукція > VISHAY > SIR876BDP-T1-RE3
SIR876BDP-T1-RE3

SIR876BDP-T1-RE3 Vishay


sir876bdp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR876BDP-T1-RE3 Vishay

Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 71.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIR876BDP-T1-RE3 за ціною від 32.51 грн до 122.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR876BDP-T1-RE3 SIR876BDP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir876bdp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 SIR876BDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013608668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 27552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.67 грн
500+43.77 грн
1000+37.19 грн
5000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 SIR876BDP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir876bdp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.52 грн
10+74.40 грн
100+57.90 грн
500+46.05 грн
1000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 SIR876BDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013608668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 27552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.74 грн
10+86.94 грн
100+63.67 грн
500+43.77 грн
1000+37.19 грн
5000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir876bdp.pdf SIR876BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.