Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR876BDP-T1-RE3
SIR876BDP-T1-RE3

SIR876BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir876bdp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR876BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 71.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 71.4W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm.

Інші пропозиції SIR876BDP-T1-RE3 за ціною від 35.86 грн до 130.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIR876BDP-T1-RE3 SIR876BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0013608668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 27507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.92 грн
500+54.16 грн
1500+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 SIR876BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir876bdp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.34 грн
10+71.11 грн
100+55.34 грн
500+44.02 грн
1000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 SIR876BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0013608668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 27507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.34 грн
50+96.94 грн
100+79.92 грн
500+54.16 грн
1500+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 VISH-S-A0013608668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR876BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 27507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+79.92 грн
500+54.16 грн
1500+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 sir876bdp.pdf
SIR876BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+90.34 грн
10+71.11 грн
100+55.34 грн
500+44.02 грн
1000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 VISH-S-A0013608668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR876BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR876BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 27507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+130.34 грн
50+96.94 грн
100+79.92 грн
500+54.16 грн
1500+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.