Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR878BDP-T1-RE3
SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir878bdp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.28 грн
6000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR878BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIR878BDP-T1-RE3 за ціною від 48.36 грн до 104.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR878BDP-T1-RE3 SIR878BDP-T1-RE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir878bdp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 34384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.00 грн
10+81.61 грн
100+57.98 грн
250+54.97 грн
500+49.64 грн
1000+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878BDP-T1-RE3 SIR878BDP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir878bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 50 V
на замовлення 8882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.79 грн
10+80.65 грн
100+63.91 грн
500+50.18 грн
1000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878BDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir878bdp.pdf SIR878BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.