SIR880ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.23 грн |
| 10+ | 120.48 грн |
| 100+ | 70.77 грн |
| 500+ | 59.05 грн |
| 1000+ | 54.81 грн |
| 3000+ | 51.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR880ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIR880ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIR880ADP-T1-GE3 за ціною від 146.52 грн до 225.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR880ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIR880ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6300 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SIR880ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR880ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
 |
SIR880ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
| SIR880ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
N-Channel 80 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
SIR880ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
SIR880ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||
| SIR880ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |