SIR880ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.24 грн |
| 10+ | 122.39 грн |
| 100+ | 71.89 грн |
| 500+ | 59.98 грн |
| 1000+ | 55.68 грн |
| 3000+ | 52.72 грн |
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Технічний опис SIR880ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIR880ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SIR880ADP-T1-GE3 за ціною від 155.41 грн до 241.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SIR880ADP-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIR880ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6300 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR880ADP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR880ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 98 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIR880ADP-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 241.76 грн |
| 10+ | 155.41 грн |
| SIR880ADP-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SIR880ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)