Продукція > VISHAY > SIR880DP-T1-GE3
SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3 Vishay

sir880dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+73.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR880DP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SIR880DP-T1-GE3 за ціною від 78.95 грн до 236.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR880DP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir880dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+78.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir880dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 40 V
на замовлення 7641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.96 грн
10+123.87 грн
100+105.15 грн
500+85.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir880dp.pdf MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.68 грн
10+171.26 грн
100+112.45 грн
250+99.54 грн
500+91.94 грн
1000+84.34 грн
3000+82.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir880dp.pdf SIR880DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.