Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR880DP-T1-GE3
SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir880dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+79.51 грн
9000+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR880DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SIR880DP-T1-GE3 за ціною від 81.83 грн до 258.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR880DP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir880dp.pdf MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7667 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+233.86 грн
10+169.22 грн
100+111.11 грн
250+98.35 грн
500+90.84 грн
1000+83.33 грн
3000+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir880dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 40 V
на замовлення 13652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.13 грн
10+162.10 грн
50+124.88 грн
100+105.95 грн
500+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 Vishay sir880dp.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.72 грн
10+173.97 грн
25+140.54 грн
100+128.10 грн
250+115.14 грн
500+106.46 грн
1000+102.39 грн
3000+98.32 грн
6000+94.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 sir880dp.pdf
SIR880DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7667 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.86 грн
10+169.22 грн
100+111.11 грн
250+98.35 грн
500+90.84 грн
1000+83.33 грн
3000+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 sir880dp.pdf
SIR880DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 40 V
на замовлення 13652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.13 грн
10+162.10 грн
50+124.88 грн
100+105.95 грн
500+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 sir880dp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+175.72 грн
10+173.97 грн
25+140.54 грн
100+128.10 грн
250+115.14 грн
500+106.46 грн
1000+102.39 грн
3000+98.32 грн
6000+94.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.