Інші пропозиції SIR882ADP-T1-GE3 за ціною від 68.86 грн до 225.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR882ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 50 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR882ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 50 V |
на замовлення 7634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR882ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR882ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 13225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR882ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 9766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIR882ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 60 А, Ptot, Вт = 83, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50, Qg, нКл = 60 @ 10 В, Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. в кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SIR882ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |