на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 42.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR882BDP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR882BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.5 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIR882BDP-T1-RE3 за ціною від 36.77 грн до 142.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR882BDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 67.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3762 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR882BDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR882BDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR882BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.5 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 25037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR882BDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 67.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3762 pF @ 50 V |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR882BDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR882BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.5 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 25037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR882BDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SO8 100V 67.5A N-CH |
на замовлення 34967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR882BDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIR882BDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIR882BDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
SIR882BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |