SIR882BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 67.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3762 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR882BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR882BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.5 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIR882BDP-T1-RE3 за ціною від 45.97 грн до 126.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR882BDP-T1-RE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIR882BDP-T1-RE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIR882BDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3762 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 67.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIR882BDP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SO8 100V 67.5A N-CH |
на замовлення 27854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SIR882BDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR882BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.5 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 25037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIR882BDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR882BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.5 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 25037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIR882BDP-T1-RE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 53.28 грн |
| SIR882BDP-T1-RE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 53.49 грн |
| SIR882BDP-T1-RE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3762 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 67.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3762 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 67.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.70 грн |
| 10+ | 93.01 грн |
| 100+ | 66.97 грн |
| 500+ | 50.08 грн |
| 1000+ | 45.97 грн |
| SIR882BDP-T1-RE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SO8 100V 67.5A N-CH
MOSFETs SO8 100V 67.5A N-CH
на замовлення 27854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIR882BDP-T1-RE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR882BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.5 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIR882BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.5 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIR882BDP-T1-RE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR882BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.5 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIR882BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.5 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)