Технічний опис SiR892DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8.
Інші пропозиції SiR892DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SiR892DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 5163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SiR892DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 25V 50A 50W 3.2mohm @ 10V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SiR892DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SiR892DP-T1-GE3 |
|
на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SiR892DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SiR892DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 25V 50A 50W 3.2mohm @ 10V
MOSFET 25V 50A 50W 3.2mohm @ 10V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SiR892DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SiR892DP-T1-GE3 |
|
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)