Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA01DP-T1-GE3
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira01dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+47.63 грн
6000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA01DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SIRA01DP-T1-GE3 за ціною від 44.76 грн до 174.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011029471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.45 грн
500+66.58 грн
1500+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011029471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.17 грн
50+119.23 грн
100+90.45 грн
500+66.58 грн
1500+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira01dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 8312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.31 грн
10+103.23 грн
100+70.28 грн
500+52.70 грн
1000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 SIRA01DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix sira01dp.pdf MOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.33 грн
10+110.23 грн
100+65.48 грн
500+52.09 грн
1000+47.86 грн
3000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 VISH-S-A0011029471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA01DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+90.45 грн
500+66.58 грн
1500+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 VISH-S-A0011029471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA01DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA01DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+161.17 грн
50+119.23 грн
100+90.45 грн
500+66.58 грн
1500+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 sira01dp.pdf
SIRA01DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 8312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+167.31 грн
10+103.23 грн
100+70.28 грн
500+52.70 грн
1000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 sira01dp.pdf
SIRA01DP-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+174.33 грн
10+110.23 грн
100+65.48 грн
500+52.09 грн
1000+47.86 грн
3000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.