SIRA04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.36 грн |
| 10+ | 79.86 грн |
| 100+ | 59.93 грн |
| 500+ | 44.52 грн |
| 1000+ | 40.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIRA04DP-T1-GE3 за ціною від 36.30 грн до 125.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA04DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 10607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA04DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIRA04DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 77nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 80A Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SIRA04DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIRA04DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 77nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 80A Case: PowerPAK® SO8 |
товару немає в наявності |