Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA04DP-T1-GE3
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira04dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.18 грн
10+76.37 грн
100+57.31 грн
500+42.57 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIRA04DP-T1-GE3 за ціною від 30.18 грн до 119.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA04DP-T1-GE3 SIRA04DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sira04dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 9857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.80 грн
10+80.59 грн
100+47.53 грн
500+37.68 грн
1000+34.76 грн
3000+32.82 грн
6000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3 SIRA04DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira04dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira04dp.pdf MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3 SIRA04DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira04dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.