Продукція > VISHAY > SIRA06DP-T1-GE3
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3 Vishay

sira06dp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA06DP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIRA06DP-T1-GE3 за ціною від 39.23 грн до 91.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 Vishay sira06dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira06dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.19 грн
10+64.30 грн
100+51.56 грн
500+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.16 грн
10+68.65 грн
100+51.30 грн
250+45.63 грн
500+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sira06dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000149484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA06DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.19 грн
10+64.30 грн
100+51.56 грн
500+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.16 грн
10+68.65 грн
100+51.30 грн
250+45.63 грн
500+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 VISH-S-A0000149484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA06DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.