
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 29.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIRA10DP-T1-GE3 за ціною від 25.71 грн до 66.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 140A Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 51nC Technology: TrenchFET® |
на замовлення 2981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 10145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 140A Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 51nC Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2981 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V |
на замовлення 4291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Код товару: 199341
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |