Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Код товару: 199341
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix за ціною від 33.43 грн до 114.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay sira10dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.44 грн
15+50.62 грн
25+50.60 грн
50+48.29 грн
100+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 140A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.25 грн
7+61.05 грн
10+55.52 грн
100+41.60 грн
250+37.15 грн
500+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.82 грн
50+52.29 грн
100+43.74 грн
500+34.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix sira10dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay sira10dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.44 грн
15+50.62 грн
25+50.60 грн
50+48.29 грн
100+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 140A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.25 грн
7+61.05 грн
10+55.52 грн
100+41.60 грн
250+37.15 грн
500+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.44 грн
10+69.82 грн
50+52.29 грн
100+43.74 грн
500+34.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.