Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Код товару: 199341
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix за ціною від 28.05 грн до 62.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay sira10dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.31 грн
15+50.51 грн
25+50.48 грн
50+48.18 грн
100+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.57 грн
10+46.69 грн
100+37.08 грн
500+32.09 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix sira10dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay sira10dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.31 грн
15+50.51 грн
25+50.48 грн
50+48.18 грн
100+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.57 грн
10+46.69 грн
100+37.08 грн
500+32.09 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.