Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA10DP-T1-GE3
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira10dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIRA10DP-T1-GE3 за ціною від 25.71 грн до 67.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Виробник : Vishay doc63820.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+40.29 грн
16+39.96 грн
25+39.56 грн
50+38.06 грн
100+30.62 грн
250+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Виробник : Vishay doc63820.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+43.04 грн
287+42.61 грн
288+42.51 грн
331+35.62 грн
378+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.12 грн
10+42.38 грн
25+36.32 грн
68+34.41 грн
100+34.03 грн
250+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sira10dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.05 грн
10+57.87 грн
100+36.49 грн
500+31.71 грн
1000+29.35 грн
3000+27.29 грн
6000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.66 грн
10+47.51 грн
100+37.73 грн
500+32.65 грн
1000+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.34 грн
10+52.81 грн
25+43.59 грн
68+41.29 грн
100+40.83 грн
250+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Код товару: 199341
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Виробник : Vishay doc63820.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Виробник : Vishay doc63820.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira10dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.