Інші пропозиції SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix за ціною від 23.87 грн до 99.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V |
на замовлення 4291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 8231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 26W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIRA10DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |