SIRA12BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 19.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA12BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIRA12BDP-T1-GE3 за ціною від 21.93 грн до 79.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA12BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIRA12BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V |
на замовлення 6495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIRA12BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA12BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA12BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIRA12BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SIRA12BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIRA12BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 59A; Idm: 150A; 24W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 59A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 24W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |