Продукція > VISHAY > SIRA12DP-T1-GE3
SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3 Vishay

sira12dp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1336+10.94 грн
1418+10.31 грн
1511+9.68 грн
1619+8.71 грн
1741+7.50 грн
1883+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1336 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA12DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.

Інші пропозиції SIRA12DP-T1-GE3 за ціною від 6.66 грн до 116.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA12DP.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 Vishay sira12dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+30.46 грн
68+11.58 грн
72+10.94 грн
76+9.94 грн
100+8.64 грн
250+7.74 грн
500+7.20 грн
1000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 Vishay sira12dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 Vishay sira12dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 Vishay sira12dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA12DP.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.68 грн
10+65.12 грн
50+48.63 грн
100+40.61 грн
500+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors SIRA12DP.pdf MOSFETs 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
на замовлення 13972 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+116.49 грн
10+54.22 грн
100+41.97 грн
500+32.88 грн
3000+29.80 грн
6000+26.73 грн
9000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 VISHAY SIRA12DP.pdf Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP.pdf
SIRA12DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 sira12dp.pdf
SIRA12DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+30.46 грн
68+11.58 грн
72+10.94 грн
76+9.94 грн
100+8.64 грн
250+7.74 грн
500+7.20 грн
1000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 sira12dp.pdf
SIRA12DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 sira12dp.pdf
SIRA12DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 sira12dp.pdf
SIRA12DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
385+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP.pdf
SIRA12DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.68 грн
10+65.12 грн
50+48.63 грн
100+40.61 грн
500+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP.pdf
SIRA12DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
на замовлення 13972 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.49 грн
10+54.22 грн
100+41.97 грн
500+32.88 грн
3000+29.80 грн
6000+26.73 грн
9000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP.pdf
SIRA12DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.