| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1336+ | 10.57 грн |
| 1418+ | 9.95 грн |
| 1511+ | 9.34 грн |
| 1619+ | 8.41 грн |
| 1741+ | 7.24 грн |
| 1883+ | 6.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA12DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.
Інші пропозиції SIRA12DP-T1-GE3 за ціною від 6.43 грн до 36.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 |
на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV |
на замовлення 16421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
SIRA12DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIRA12DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 29.41 грн |
| 68+ | 11.18 грн |
| 72+ | 10.57 грн |
| 76+ | 9.60 грн |
| 100+ | 8.34 грн |
| 250+ | 7.48 грн |
| 500+ | 6.95 грн |
| 1000+ | 6.43 грн |
| SIRA12DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 30.27 грн |
| SIRA12DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 30.28 грн |
| SIRA12DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 385+ | 36.69 грн |
| SIRA12DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIRA12DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
MOSFETs 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
на замовлення 16421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIRA12DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)