на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1336+ | 9.35 грн |
| 1418+ | 8.81 грн |
| 1511+ | 8.27 грн |
| 1619+ | 7.45 грн |
| 1741+ | 6.41 грн |
| 1883+ | 5.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA12DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.
Інші пропозиції SIRA12DP-T1-GE3 за ціною від 6.10 грн до 51.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA12DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIRA12DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIRA12DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIRA12DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIRA12DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIRA12DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA12DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIRA12DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV |
на замовлення 17772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIRA12DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 |
на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SIRA12DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SIRA12DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 80A; 20W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 20W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |