SIRA14BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA14BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIRA14BDP-T1-GE3 за ціною від 9.39 грн до 33.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA14BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRA14BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA14BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA14BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 64 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRA14BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V |
на замовлення 6677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRA14BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA14BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 64 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA14BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 18874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA14BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIRA14BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIRA14BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 52A; Idm: 130A; 23W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 52A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 23W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 7.02mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIRA14BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 52A; Idm: 130A; 23W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 52A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 23W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 7.02mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |