Продукція > VISHAY > SIRA14BDP-T1-GE3
SIRA14BDP-T1-GE3

SIRA14BDP-T1-GE3 Vishay

sira14bdp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA14BDP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIRA14BDP-T1-GE3 за ціною від 10.56 грн до 47.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA14BDP-T1-GE3 SIRA14BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira14bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 SIRA14BDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2786179.pdf Description: VISHAY - SIRA14BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 64 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.01 грн
500+15.39 грн
1000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 SIRA14BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sira14bdp.pdf MOSFET 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 17974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.22 грн
13+28.08 грн
100+18.60 грн
500+15.08 грн
1000+12.55 грн
3000+11.25 грн
9000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 SIRA14BDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2786179.pdf Description: VISHAY - SIRA14BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 64 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.53 грн
28+31.60 грн
100+20.01 грн
500+15.39 грн
1000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 SIRA14BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira14bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.20 грн
11+31.26 грн
100+21.32 грн
500+16.81 грн
1000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 SIRA14BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira14bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 SIRA14BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira14bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 SIRA14BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira14bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira14bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 52A; Idm: 130A; 23W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 7.02mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.