SIRA18ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.66 грн |
| 6000+ | 9.03 грн |
| 9000+ | 8.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA18ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRA18ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.6 A, 8700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 14.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIRA18ADP-T1-GE3 за ціною від 9.23 грн до 44.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA18ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA18ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.6 A, 8700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 14.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 9810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA18ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 9.4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIRA18ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 14.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
на замовлення 12188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA18ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 42189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIRA18ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 9.4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2777 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIRA18ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA18ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.6 A, 8700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 14.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 9810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA18ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SIRA18ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |