Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA18ADP-T1-GE3
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira18adp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.98 грн
11+ 25.39 грн
100+ 18.97 грн
500+ 13.99 грн
1000+ 10.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA18ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 14.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIRA18ADP-T1-GE3 за ціною від 14.32 грн до 33.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sira18adp-1761556.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.25 грн
11+ 27.95 грн
100+ 18.18 грн
500+ 14.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira18adp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIRA18ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira18adp.pdf SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.2 грн
63+ 15.48 грн
173+ 14.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira18adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товар відсутній