Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA18BDP-T1-GE3
SIRA18BDP-T1-GE3

SIRA18BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira18bdp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA18BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIRA18BDP-T1-GE3 за ціною від 10.69 грн до 37.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIRA18BDP-T1-GE3 SIRA18BDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2856438.pdf Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.5 грн
500+ 14.15 грн
1000+ 11.91 грн
5000+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIRA18BDP-T1-GE3 SIRA18BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira18bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 10131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.98 грн
11+ 25.8 грн
100+ 17.95 грн
500+ 13.15 грн
1000+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIRA18BDP-T1-GE3 SIRA18BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sira18bdp.pdf MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 29215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.95 грн
11+ 28.72 грн
100+ 17.38 грн
500+ 13.59 грн
1000+ 11.05 грн
3000+ 10.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIRA18BDP-T1-GE3 SIRA18BDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2856438.pdf Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.43 грн
24+ 31.3 грн
100+ 19.5 грн
500+ 14.15 грн
1000+ 11.91 грн
5000+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
SIRA18BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira18bdp.pdf N Channel MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 6000
SIRA18BDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira18bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 11W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Gate charge: 19nC
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIRA18BDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira18bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 11W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Gate charge: 19nC
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 90A
товар відсутній