SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sira18dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 1490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.62 грн
10+41.07 грн
100+28.92 грн
500+20.91 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRA18DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 33 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 14.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIRA18DP-T1-GE3 за ціною від 15.93 грн до 74.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sira18dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.34 грн
10+46.62 грн
100+27.64 грн
500+21.51 грн
1000+19.44 грн
3000+17.84 грн
6000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA18DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 33 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.70 грн
19+48.61 грн
100+34.67 грн
500+25.06 грн
1000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira18dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira18dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira18dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira18dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.