Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira18dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.96 грн
6000+15.94 грн
9000+15.25 грн
15000+13.58 грн
21000+13.15 грн
30000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRA18DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 33 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 14.7W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.

Інші пропозиції SIRA18DP-T1-GE3 за ціною від 18.76 грн до 73.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira18dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
на замовлення 41585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.51 грн
10+43.98 грн
100+28.70 грн
500+20.75 грн
1000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sira18dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA18DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 33 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 14.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 sira18dp.pdf
SIRA18DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
на замовлення 41585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.51 грн
10+43.98 грн
100+28.70 грн
500+20.75 грн
1000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 sira18dp.pdf
SIRA18DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 VISH-S-A0002474119-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA18DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA18DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 33 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 14.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.