SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 22674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 48.55 грн |
| 10+ | 36.12 грн |
| 100+ | 26.20 грн |
| 500+ | 22.16 грн |
| 6000+ | 16.29 грн |
| 9000+ | 14.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIRA18DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 33 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 14.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIRA18DP-T1-GE3 за ціною від 17.43 грн до 76.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA18DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIRA18DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 33 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 14.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIRA18DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
на замовлення 2194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIRA18DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIRA18DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIRA18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SIRA18DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |