SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 52.11 грн |
| 6000+ | 47.79 грн |
| 9000+ | 45.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 335A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIRA20BDP-T1-GE3 за ціною від 43.01 грн до 137.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA20BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 335A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIRA20BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V |
на замовлення 10920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA20BDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 8337 шт: термін постачання 408-417 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIRA20BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 335A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIRA20BDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIRA20BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |