SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 51.93 грн |
| 6000+ | 47.62 грн |
| 9000+ | 45.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): +16V, -12V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIRA20BDP-T1-GE3 за ціною від 40.74 грн до 147.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIRA20BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): +16V, -12V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 10920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIRA20BDP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 82A |
на замовлення 3022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SIRA20BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.28 грн |
| 10+ | 98.88 грн |
| 100+ | 76.93 грн |
| 500+ | 61.19 грн |
| 1000+ | 49.85 грн |
| SIRA20BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 82A
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 82A
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.19 грн |
| 10+ | 97.27 грн |
| 100+ | 57.65 грн |
| 500+ | 45.95 грн |
| 1000+ | 43.28 грн |
| 3000+ | 40.74 грн |

