SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sira20bdp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+51.93 грн
6000+47.62 грн
9000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): +16V, -12V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIRA20BDP-T1-GE3 за ціною від 40.74 грн до 147.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira20bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.28 грн
10+98.88 грн
100+76.93 грн
500+61.19 грн
1000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix sira20bdp.pdf MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 82A
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.19 грн
10+97.27 грн
100+57.65 грн
500+45.95 грн
1000+43.28 грн
3000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3 sira20bdp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.28 грн
10+98.88 грн
100+76.93 грн
500+61.19 грн
1000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3 sira20bdp.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 82A
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+147.19 грн
10+97.27 грн
100+57.65 грн
500+45.95 грн
1000+43.28 грн
3000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.