Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA24DP-T1-GE3
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira24dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.86 грн
6000+ 20.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA24DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIRA24DP-T1-GE3 за ціною від 21.91 грн до 60.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIRA24DP-T1-GE3 SIRA24DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira24dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 11301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.47 грн
10+ 43.56 грн
100+ 33.87 грн
500+ 26.94 грн
1000+ 21.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIRA24DP-T1-GE3 SIRA24DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sira24dp.pdf MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 63936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.68 грн
10+ 49.09 грн
100+ 33.16 грн
500+ 28.1 грн
1000+ 22.91 грн
3000+ 21.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIRA24DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira24dp.pdf SIRA24DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній