SIRA24DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.11 грн |
| 6000+ | 22.17 грн |
| 9000+ | 21.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA24DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIRA24DP-T1-GE3 за ціною від 22.97 грн до 96.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIRA24DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V |
на замовлення 14703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIRA24DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 45677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SIRA24DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 14703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.84 грн |
| 10+ | 47.96 грн |
| 100+ | 36.36 грн |
| 500+ | 28.20 грн |
| 1000+ | 24.46 грн |
| SIRA24DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 45677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.94 грн |
| 10+ | 59.91 грн |
| 100+ | 34.56 грн |
| 500+ | 27.16 грн |
| 1000+ | 24.65 грн |
| 3000+ | 22.97 грн |