| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 22.52 грн |
| 50+ | 21.63 грн |
| 100+ | 19.96 грн |
| 250+ | 19.09 грн |
| 500+ | 19.02 грн |
| 1000+ | 18.95 грн |
| 3000+ | 18.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA26DP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43.1W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIRA26DP-T1-RE3 за ціною від 18.88 грн до 96.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIRA26DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA26DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43.1W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA26DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRA26DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43.1W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA26DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 6742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRA26DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |