SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sira28bdp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIRA28BDP-T1-GE3 за ціною від 12.84 грн до 59.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira28bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 15 V
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.00 грн
10+37.25 грн
100+27.82 грн
500+20.52 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.12 грн
13+35.05 грн
100+23.90 грн
500+19.00 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix sira28bdp.pdf MOSFETs 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay sira28bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.24 грн
35+21.57 грн
100+18.57 грн
250+16.98 грн
500+14.77 грн
1000+13.30 грн
3000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 15 V
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+45.00 грн
10+37.25 грн
100+27.82 грн
500+20.52 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.12 грн
13+35.05 грн
100+23.90 грн
500+19.00 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+23.24 грн
35+21.57 грн
100+18.57 грн
250+16.98 грн
500+14.77 грн
1000+13.30 грн
3000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.