Продукція > VISHAY > SIRA32DP-T1-RE3
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3 VISHAY

3983265.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+53.27 грн
500+43.65 грн
1000+34.51 грн
5000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA32DP-T1-RE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції SIRA32DP-T1-RE3 за ціною від 29.28 грн до 97.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 3983265.pdf Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.68 грн
13+68.17 грн
100+53.27 грн
500+43.65 грн
1000+34.51 грн
5000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sira32dp.pdf MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 41550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.61 грн
10+67.01 грн
100+45.36 грн
500+36.92 грн
1000+31.34 грн
3000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sira32dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sira32dp.pdf SIRA32DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sira32dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.