SIRA32DP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 50.08 грн |
| 500+ | 34.05 грн |
| 1000+ | 28.22 грн |
| 5000+ | 25.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA32DP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIRA32DP-T1-RE3 за ціною від 25.75 грн до 100.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIRA32DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA32DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 19960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRA32DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SIRA32DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 185A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIRA32DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIRA32DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 148A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 148A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 42W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -12...16V On-state resistance: 1.83mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |