Продукція > VISHAY > SIRA32DP-T1-RE3
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3 VISHAY

VISH-S-A0011831058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.69 грн
500+33.11 грн
1000+27.44 грн
5000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA32DP-T1-RE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIRA32DP-T1-RE3 за ціною від 25.04 грн до 100.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0011831058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.61 грн
14+62.50 грн
100+48.69 грн
500+33.11 грн
1000+27.44 грн
5000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sira32dp.pdf MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 41550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.40 грн
10+68.93 грн
100+46.65 грн
500+37.97 грн
1000+32.23 грн
3000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sira32dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sira32dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.