Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA50ADP-T1-RE3
SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sira50adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 20 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+48.94 грн
9000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRA50ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 219 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 219A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIRA50ADP-T1-RE3 за ціною від 54.14 грн до 171.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIRA50ADP-T1-RE3 SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira50adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 20 V
на замовлення 43462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.27 грн
10+106.06 грн
50+80.43 грн
100+67.73 грн
500+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors sira50adp.pdf MOSFETs 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 SIRA50ADP-T1-RE3 VISHAY sira50adp.pdf Description: VISHAY - SIRA50ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 219 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 219A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 SIRA50ADP-T1-RE3 VISHAY sira50adp.pdf Description: VISHAY - SIRA50ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 219 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 219A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay sira50adp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 54.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.72 грн
25+71.28 грн
100+63.60 грн
250+58.30 грн
500+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay sira50adp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 54.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 17723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.70 грн
25+71.60 грн
100+63.61 грн
250+58.31 грн
500+55.60 грн
1000+55.24 грн
3000+54.88 грн
6000+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 sira50adp.pdf
SIRA50ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 20 V
на замовлення 43462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.27 грн
10+106.06 грн
50+80.43 грн
100+67.73 грн
500+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 sira50adp.pdf
SIRA50ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 sira50adp.pdf
SIRA50ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA50ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 219 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 219A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 sira50adp.pdf
SIRA50ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA50ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 219 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 219A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 sira50adp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 54.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.72 грн
25+71.28 грн
100+63.60 грн
250+58.30 грн
500+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 sira50adp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 54.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 17723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+72.70 грн
25+71.60 грн
100+63.61 грн
250+58.31 грн
500+55.60 грн
1000+55.24 грн
3000+54.88 грн
6000+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.