SIRA50DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.70 грн |
| 10+ | 99.70 грн |
| 100+ | 68.86 грн |
| 500+ | 57.94 грн |
| 1000+ | 57.73 грн |
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Технічний опис SIRA50DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIRA50DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SIRA50DP-T1-RE3 за ціною від 74.01 грн до 247.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SIRA50DP-T1-RE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIRA50DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 8646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SIRA50DP-T1-RE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA50DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SIRA50DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 8646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 247.51 грн |
| 10+ | 161.17 грн |
| 100+ | 111.01 грн |
| 500+ | 83.99 грн |
| 1000+ | 74.01 грн |