SIRA50DP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIRA50DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 81.09 грн |
| 500+ | 56.73 грн |
| 1000+ | 47.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA50DP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIRA50DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIRA50DP-T1-RE3 за ціною від 47.99 грн до 147.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA50DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIRA50DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA50DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 14397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIRA50DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
SIRA50DP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SIRA50DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8445 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIRA50DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8445 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |