на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 45.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA52ADP-T1-RE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SIRA52ADP-T1-RE3 за ціною від 76.71 грн до 114.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA52ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIRA52ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
| SIRA52ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
SIRA52ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
SIRA52ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |