SIRA52DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.57 грн |
| 10+ | 101.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA52DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 30.7W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 2.3mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 150nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SIRA52DP-T1-GE3 за ціною від 70.65 грн до 120.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA52DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIRA52DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SIRA52DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 30.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |