Продукція > VISHAY > SIRA54ADP-T1-RE3
SIRA54ADP-T1-RE3

SIRA54ADP-T1-RE3 VISHAY

sira54adp.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.22 грн
500+58.37 грн
1000+50.04 грн
5000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA54ADP-T1-RE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SIRA54ADP-T1-RE3 за ціною від 39.27 грн до 153.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA54ADP-T1-RE3 SIRA54ADP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sira54adp.pdf Description: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.63 грн
10+99.47 грн
100+69.22 грн
500+58.37 грн
1000+50.04 грн
5000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54ADP-T1-RE3 SIRA54ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sira54adp.pdf MOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 36.2A
на замовлення 13133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.78 грн
10+95.63 грн
100+59.75 грн
500+47.73 грн
1000+45.49 грн
3000+39.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54ADP-T1-RE3 SIRA54ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sira54adp.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.30 грн
10+132.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54ADP-T1-RE3 SIRA54ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sira54adp.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.