Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA58ADP-T1-RE3
SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sira58adp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+31.57 грн
6000+ 28.96 грн
9000+ 27.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA58ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIRA58ADP-T1-RE3 за ціною від 30.31 грн до 87.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIRA58ADP-T1-RE3 SIRA58ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sira58adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 10570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.36 грн
10+ 60.14 грн
100+ 46.78 грн
500+ 37.21 грн
1000+ 30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIRA58ADP-T1-RE3 SIRA58ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors VISH_S_A0006502532_1-2569670.pdf MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.79 грн
10+ 78.11 грн
100+ 52.81 грн
500+ 43.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIRA58ADP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sira58adp.pdf SIRA58ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній