SIRA58DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.84 грн |
| 10+ | 74.37 грн |
| 100+ | 50.32 грн |
| 500+ | 46.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA58DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SIRA58DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA58DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 109A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|
| SIRA58DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIRA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
SIRA58DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
SIRA58DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |