SIRA60DDP-T1-UE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.27 грн |
| 10+ | 77.54 грн |
| 100+ | 52.00 грн |
| 500+ | 38.53 грн |
| 1000+ | 35.22 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA60DDP-T1-UE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 193A; Idm: 500A, Case: PowerPAK® SO8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 500A, Power dissipation: 78W, Gate charge: 39.1nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 193A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 0.9mΩ.
Інші пропозиції SIRA60DDP-T1-UE3 за ціною від 31.89 грн до 138.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA60DDP-T1-UE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SIRA60DDP-T1-UE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.22 грн |
| 10+ | 86.63 грн |
| 100+ | 50.24 грн |
| 500+ | 39.71 грн |
| 1000+ | 36.27 грн |
| 3000+ | 31.89 грн |