SIRA60DDP-T1-UE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.04 грн |
| 10+ | 78.62 грн |
| 100+ | 52.72 грн |
| 500+ | 39.06 грн |
| 1000+ | 35.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA60DDP-T1-UE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 193A; Idm: 500A, Case: PowerPAK® SO8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 500A, Power dissipation: 78W, Gate charge: 39.1nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 193A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 0.9mΩ.
Інші пропозиції SIRA60DDP-T1-UE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA60DDP-T1-UE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIRA60DDP-T1-UE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)