SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sira60dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.00 грн
6000+41.27 грн
9000+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA60DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRA60DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 780 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 780µohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIRA60DP-T1-GE3 за ціною від 42.46 грн до 130.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002472613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA60DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 780 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 780µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.05 грн
500+57.20 грн
1000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sira60dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 12881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.57 грн
10+82.47 грн
100+60.10 грн
500+54.68 грн
1000+44.52 грн
3000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira60dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
на замовлення 10078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.04 грн
10+85.67 грн
100+66.67 грн
500+53.03 грн
1000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002472613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA60DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.22 грн
10+96.81 грн
100+82.76 грн
500+60.93 грн
1000+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira60dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.