SIRA60DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 113.30 грн |
| 10+ | 92.22 грн |
| 100+ | 62.09 грн |
| 500+ | 52.67 грн |
| 1000+ | 47.53 грн |
| 3000+ | 40.46 грн |
| 6000+ | 38.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA60DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIRA60DP-T1-RE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SIRA60DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |