Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA64DP-T1-RE3
SIRA64DP-T1-RE3

SIRA64DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sira64dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 6673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.94 грн
10+65.42 грн
100+50.99 грн
500+39.53 грн
1000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA64DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIRA64DP-T1-RE3 за ціною від 22.57 грн до 97.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA64DP-T1-RE3 SIRA64DP-T1-RE3 Виробник : Vishay / Siliconix sira64dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 13420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.76 грн
10+62.33 грн
100+39.18 грн
500+30.65 грн
1000+27.93 грн
3000+23.85 грн
6000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-RE3 SIRA64DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sira64dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.