SIRA64DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 39667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.90 грн |
| 10+ | 56.89 грн |
| 100+ | 38.53 грн |
| 500+ | 32.66 грн |
| 1000+ | 26.64 грн |
| 3000+ | 25.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA64DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIRA64DP-T1-RE3 за ціною від 30.34 грн до 73.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA64DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V |
на замовлення 6673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIRA64DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |