SiRA72DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 5906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 112.31 грн |
| 10+ | 77.58 грн |
| 100+ | 49.45 грн |
| 500+ | 39.05 грн |
| 1000+ | 35.71 грн |
| 3000+ | 35.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiRA72DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 36.3W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 4.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 63nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SiRA72DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SiRA72DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SiRA72DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|
| SiRA72DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 36.3W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |